삼성, 60나노급 1기가 D램 양산
80나노보다 생산성 40% 향상
지역내일
2007-03-02
삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램 양산에 착수했다고 1일 밝혔다.
지난해 3월 80나노 공정을 적용한 512Mb D램을 양산, 80나노 D램 시대를 개막한 삼성전자가 1년도 안돼 역시 세계 최초로 80나노보다 2세대 앞선 60나노급 1기가 D램 양산을 실현한 것이다.
60나노급 공정은 기존 80나노 공정과 대비해 40％ 이상, 현재 D램 업계의 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성이 높아 원가 경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 수 있다.
특히 이번 60나노 D램 세계 최초 양산은 그 자체로도 의미가 있지만 향후 50나노, 40나노급 제품 개발과 양산에 있어서도 삼성이 지속적으로 업계를 리드해 나갈 수 있는 기술 기반을 마련했다는 점에서 더 커다란 의미가 있다고 삼성전자는 설명했다.
그 중 대표적인 것이 RCAT(Recess Channel Array Tr) 기술인데, 이는 2003년 6월 반도체 학회인 VLSI 학회에서 최우수 논문으로 선정된 삼성전자의 독자 기술이다.
이 기술은 D램 셀(Cell)의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화해 집적도를 높인 기술로 50 나노급 이하에서는 반드시 적용돼야 할 핵심 기술이다.
또 삼성전자는 ‘금속 기반 커패시터’ 기술을 적용해 커패시터의 데이터 저장 특성을 획기적으로 개선했다.
이번에 양산에 돌입한 60나노급 D램은 대용량 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.
/구본홍 기자 bhkoo@naeil.com
Copyright ⓒThe Naeil News. All rights reserved.
지난해 3월 80나노 공정을 적용한 512Mb D램을 양산, 80나노 D램 시대를 개막한 삼성전자가 1년도 안돼 역시 세계 최초로 80나노보다 2세대 앞선 60나노급 1기가 D램 양산을 실현한 것이다.
60나노급 공정은 기존 80나노 공정과 대비해 40％ 이상, 현재 D램 업계의 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성이 높아 원가 경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 수 있다.
특히 이번 60나노 D램 세계 최초 양산은 그 자체로도 의미가 있지만 향후 50나노, 40나노급 제품 개발과 양산에 있어서도 삼성이 지속적으로 업계를 리드해 나갈 수 있는 기술 기반을 마련했다는 점에서 더 커다란 의미가 있다고 삼성전자는 설명했다.
그 중 대표적인 것이 RCAT(Recess Channel Array Tr) 기술인데, 이는 2003년 6월 반도체 학회인 VLSI 학회에서 최우수 논문으로 선정된 삼성전자의 독자 기술이다.
이 기술은 D램 셀(Cell)의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화해 집적도를 높인 기술로 50 나노급 이하에서는 반드시 적용돼야 할 핵심 기술이다.
또 삼성전자는 ‘금속 기반 커패시터’ 기술을 적용해 커패시터의 데이터 저장 특성을 획기적으로 개선했다.
이번에 양산에 돌입한 60나노급 D램은 대용량 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.
/구본홍 기자 bhkoo@naeil.com
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